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Transistor Bipolar y JFET, Apuntes de Electrónica

El presente documento trta sobre transistores

Tipo: Apuntes

2018/2019

Subido el 23/05/2019

fernando-sanchez-1
fernando-sanchez-1 🇲🇽

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TRANSISTOR BIPOLAR Y DE
EFECTO DE CAMPO
UNIDAD III
3.1 Transistor Bipolar (BJT)
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¡Descarga Transistor Bipolar y JFET y más Apuntes en PDF de Electrónica solo en Docsity!

TRANSISTOR BIPOLAR Y DE

EFECTO DE CAMPO

UNIDAD III

3.1 Transistor Bipolar (BJT)

Dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o bien dos capas de material tipo p y una tipo n.

TRANSISTOR BJT

Transistor :

El diodo emisor base en un transistor npn se polariza directamente, el emisor inyecta portadores mayoritarios a la base, dentro de la base los electrones pasan a ser portadores minoritarios.

TRANSISTOR BJT
OPERACIÓN :

El diodo base colector se polariza inversamente, los electrones inyectados a la base desde el emisor incrementan la corriente inversa de saturación Is y por lo tanto la corriente de colector.

TRANSISTOR BJT
OPERACIÓN :
TRANSISTOR BJT
ANALOGÍA PARA BJT:
CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

El nombre se deriva del hecho que la base es común tanto para la entrada como para la salida

El flujo de corriente mostrado es el convencional

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

En la región activa

IC 0

En la región de corte

IC IE

VBE y VCE son inversos

En la región de saturación

VCB 0

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

Alfa ( ) relación entre IC e IE

La corriente se muestra en sentido convencional

E

C dc I

I

El valor de alfa normalmente está entre 0.90 y 0.

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

mV mA R

I V i

i i^10 20

200

Asumiendo que IC=IE

V (^) L ILR 10 mA 5 k 50 V

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

250 200

50 mV

V V

V A i

L V

Los valores típicos de amplificación en base común varia entre 50 y 300.

La acción básica de amplificación se produce mediante la transferencia de una corriente I de un circuito de baja resistencia a un circuito de alta resistencia.

Transferencia + resistor = transistor

CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

Curvas características

CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

La magnitud de IB se encuentra en microamperes, mientras IC está en miliamperes.

Las curvas de IB no son tan horizontales como las de IE en la configuración base común.

La región activa es el cuadrante superior derecho.

La región de saturación se encuentra a la izquierda de VCEsat

CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

De la configuración base común sabemos que:

IE IC IB (2)

Sustituyendo 1 en 2:

IC IC IB ICBO

B CBO C

I I
I
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

Considerando el caso en el que IB=0 A y sustituyendo un valor típico de como 0.996, la corriente de colector sería:

( 0 ) CBO

C

I
I

CBO

CBO C I

I
I 250