































Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity
Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium
Prepara tus exámenes
Prepara tus exámenes y mejora tus resultados gracias a la gran cantidad de recursos disponibles en Docsity
Prepara tus exámenes con los documentos que comparten otros estudiantes como tú en Docsity
Los mejores documentos en venta realizados por estudiantes que han terminado sus estudios
Estudia con lecciones y exámenes resueltos basados en los programas académicos de las mejores universidades
Responde a preguntas de exámenes reales y pon a prueba tu preparación
Consigue puntos base para descargar
Gana puntos ayudando a otros estudiantes o consíguelos activando un Plan Premium
Comunidad
Pide ayuda a la comunidad y resuelve tus dudas de estudio
Descubre las mejores universidades de tu país según los usuarios de Docsity
Ebooks gratuitos
Descarga nuestras guías gratuitas sobre técnicas de estudio, métodos para controlar la ansiedad y consejos para la tesis preparadas por los tutores de Docsity
El presente documento trta sobre transistores
Tipo: Apuntes
1 / 39
Esta página no es visible en la vista previa
¡No te pierdas las partes importantes!
Dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o bien dos capas de material tipo p y una tipo n.
Transistor :
El diodo emisor base en un transistor npn se polariza directamente, el emisor inyecta portadores mayoritarios a la base, dentro de la base los electrones pasan a ser portadores minoritarios.
El diodo base colector se polariza inversamente, los electrones inyectados a la base desde el emisor incrementan la corriente inversa de saturación Is y por lo tanto la corriente de colector.
El nombre se deriva del hecho que la base es común tanto para la entrada como para la salida
El flujo de corriente mostrado es el convencional
En la región activa
En la región de corte
VBE y VCE son inversos
En la región de saturación
Alfa ( ) relación entre IC e IE
La corriente se muestra en sentido convencional
E
C dc I
El valor de alfa normalmente está entre 0.90 y 0.
mV mA R
I V i
i i^10 20
200
Asumiendo que IC=IE
V (^) L ILR 10 mA 5 k 50 V
250 200
50 mV
V V
V A i
L V
Los valores típicos de amplificación en base común varia entre 50 y 300.
La acción básica de amplificación se produce mediante la transferencia de una corriente I de un circuito de baja resistencia a un circuito de alta resistencia.
Transferencia + resistor = transistor
Curvas características
La magnitud de IB se encuentra en microamperes, mientras IC está en miliamperes.
Las curvas de IB no son tan horizontales como las de IE en la configuración base común.
La región activa es el cuadrante superior derecho.
La región de saturación se encuentra a la izquierda de VCEsat
De la configuración base común sabemos que:
IE IC IB (2)
Sustituyendo 1 en 2:
B CBO C
Considerando el caso en el que IB=0 A y sustituyendo un valor típico de como 0.996, la corriente de colector sería:
C
CBO
CBO C I